{"id":15660,"date":"2026-01-06T18:05:33","date_gmt":"2026-01-06T10:05:33","guid":{"rendered":"http:\/\/www.erun-tech.com\/?post_type=dt_portfolio&p=15660"},"modified":"2026-01-06T18:05:33","modified_gmt":"2026-01-06T10:05:33","slug":"diangongjichushicaojingtiguandeshibieyuceliang","status":"publish","type":"dt_portfolio","link":"http:\/\/www.erun-tech.com\/es\/project\/diangongjichushicaojingtiguandeshibieyuceliang","title":{"rendered":"Pr\u00e1cticas b\u00e1sicas de electricista: identificaci\u00f3n y medici\u00f3n de transistores"},"content":{"rendered":"
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Pr\u00e1cticas b\u00e1sicas de electricista: identificaci\u00f3n y medici\u00f3n de transistores<\/h1>\n
Formaci\u00f3n b\u00e1sica en electr\u00f3nica y electricidad naval<\/div>\n<\/div>\n
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I. Conceptos b\u00e1sicos sobre los transistores<\/h2>\n
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El transistor es uno de los dispositivos semiconductores m\u00e1s b\u00e1sicos de los circuitos electr\u00f3nicos y cuenta con funciones como la amplificaci\u00f3n de se\u00f1ales, el control de conmutaci\u00f3n y la modulaci\u00f3n de se\u00f1ales. Es un componente fundamental de los dispositivos electr\u00f3nicos modernos, que ha sustituido a las antiguas v\u00e1lvulas de vac\u00edo y presenta ventajas como su reducido tama\u00f1o, su bajo consumo energ\u00e9tico y su alta fiabilidad.<\/p>\n

Los transistores se dividen en dos grandes categor\u00edas:Transistor bipolar (BJT)<\/strong> \u548cTransistor de efecto de campo (FET)<\/strong>. Los transistores bipolares est\u00e1n formados por tres capas de material semiconductor (NPN o PNP) y se clasifican enElectrodo de emisi\u00f3n (E)<\/strong>\u3001Base (B)<\/strong> \u548cColector (C)<\/strong>\u3002<\/p>\n

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\"Figura

Figura 12-6: S\u00edmbolo del BJT<\/p><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/section>\n

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II. Pr\u00e1cticas de medici\u00f3n de transistores (m\u00e9todo del mult\u00edmetro anal\u00f3gico)<\/h2>\n
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1. Proceso de identificaci\u00f3n del tipo de v\u00e1lvula y de la base (Base)<\/div>\n
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(1) Marcha:<\/strong>Selecci\u00f3n de la gama de resistencia R x 1k<\/strong> Bloqueo.<\/p>\n

(2) Prueba A:<\/strong>Se coloca la punta roja del mult\u00edmetro en un pin y las puntas negras en los otros dos pines, obteni\u00e9ndose tres series de lecturas (dos por cada serie).<\/p>\n

(3) Prueba B:<\/strong>Coloca la punta negra del mult\u00edmetro en un pin y las puntas rojas en los otros dos pines, respectivamente, para obtener tres series de lecturas (dos por cada serie).<\/p>\n

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Determinaci\u00f3n del tipo de transistor NPN<\/strong><\/p>\n

Cuando uno de los dos grupos presenta dos lecturas bajas (gran desviaci\u00f3n de la aguja), siEl pin com\u00fan es el polo negro del mult\u00edmetro.<\/strong>, entonces es un NPN; en ese caso, el pin con el que entra en contacto la punta negra del mult\u00edmetro esBase (B)<\/strong>\u3002<\/p>\n<\/div>\n

Determinaci\u00f3n del tipo de tubo PNP<\/strong><\/p>\n

Cuando uno de los dos grupos presenta dos lecturas bajas (gran desviaci\u00f3n de la aguja), siEl pin com\u00fan es la punta roja del mult\u00edmetro<\/strong>, entonces es PNP, en cuyo caso el pin con el que entra en contacto la punta roja del mult\u00edmetro esBase (B)<\/strong>\u3002<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n

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2. Distinci\u00f3n entre el electrodo emisor (E) y el colector (C) (m\u00e9todo de la penetraci\u00f3n con el dedo)<\/div>\n
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Principio de discriminaci\u00f3n:<\/strong>Se determina seg\u00fan el principio de que el factor de amplificaci\u00f3n es mayor cuando el transistor se utiliza en sentido directo y menor cuando se utiliza en sentido inverso.<\/p>\n

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Pasos a seguir tomando como ejemplo un transistor NPN:<\/strong><\/p>\n

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  1. De los dos pines restantes, supongamos que cualquiera de ellos es el colector C y el otro, el emisor E.<\/li>\n
  2. \u7528Conecta la punta negra del mult\u00edmetro a C y la punta roja a E.<\/strong>\u3002<\/li>\n
  3. Acciones clave:<\/strong>Sujeta simult\u00e1neamente los polos C y E con dos dedos humedecidos (ten cuidado de que los dedos no provoquen un cortocircuito directo entre ambos polos; el objetivo es utilizar la resistencia del cuerpo humano para proporcionar una corriente de polarizaci\u00f3n a la base) y anota el \u00e1ngulo de desviaci\u00f3n de la aguja del medidor.<\/li>\n
  4. Supongamos ahora que otro pin es el colector C y realicemos la medici\u00f3n de nuevo siguiendo el mismo procedimiento.<\/li>\n<\/ol>\n

    Conclusi\u00f3n: Al comparar los resultados de las dos mediciones, la que presenta un mayor \u00e1ngulo de desviaci\u00f3n de la aguja indica que el coeficiente de amplificaci\u00f3n de corriente del transistor es mayor, por lo que la hip\u00f3tesis inicial es correcta, es decir, que el polo negro del mult\u00edmetro corresponde al colector C.<\/p>\n<\/div>\n

    <\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/section>\n
    \ud83d\udca1 Resumen de consejos pr\u00e1cticos:<\/strong><\/p>\n

    A la hora de identificar un transistor, recuerda: \u201cTres inversiones, busca la base; dos correspondencias, busca el colector\u201d. Al realizar mediciones con un mult\u00edmetro de aguja, la punta negra se conecta al polo positivo de la pila interna, lo cual es fundamental a la hora de distinguir entre NPN y PNP.<\/p>\n<\/div>\n