{"id":15667,"date":"2026-01-06T18:19:34","date_gmt":"2026-01-06T10:19:34","guid":{"rendered":"http:\/\/www.erun-tech.com\/?post_type=dt_portfolio&p=15667"},"modified":"2026-01-06T18:19:34","modified_gmt":"2026-01-06T10:19:34","slug":"diangongjichushicaojueyuanzhashuangjixingjingtiguan-igbt-deshibieyuceliang","status":"publish","type":"dt_portfolio","link":"http:\/\/www.erun-tech.com\/id\/project\/diangongjichushicaojueyuanzhashuangjixingjingtiguan-igbt-deshibieyuceliang","title":{"rendered":"Praktikum Dasar Listrik: Identifikasi dan Pengukuran Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)"},"content":{"rendered":"
\n
\n

Praktikum Dasar Listrik: Identifikasi dan Pengukuran Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)<\/h1>\n
Pelatihan keterampilan dasar di bidang elektronik dan kelistrikan kelautan<\/div>\n<\/div>\n
\n

I. Konsep Dasar Transistor Bipolar dengan Gerbang Isolasi (IGBT)<\/h2>\n
\n

Transistor bipolar dengan gerbang isolasi terdiri dari MOSFET<\/strong> \u548cTransistor bipolar<\/strong>Sebuah perangkat yang terbentuk dari gabungan dua komponen, dengan terminal masukan berupa MOSFET dan terminal keluaran berupa transistor PNP. Perangkat ini menggabungkan kelebihan dari kedua komponen tersebut:<\/p>\n

\n
Memiliki:<\/strong>Keunggulan perangkat MOSFET berupa daya penggerak yang kecil dan kecepatan switching yang tinggi.<\/div>\n
Selain itu, memiliki:<\/strong>Keunggulan perangkat bipolar yang memiliki tegangan jenuh rendah dan kapasitansi besar.<\/div>\n<\/div>\n

Karakteristik frekuensinya berada di antara MOSFET dan transistor daya, sehingga dapat beroperasi dengan normal pada rentang frekuensi puluhan kilohertz. IGBT semakin banyak digunakan dalam teknologi elektronika daya modern, dan telah mendominasi aplikasi daya besar dan menengah pada frekuensi yang lebih tinggi.<\/p>\n

\n

\"417378a10518b00142b8c8b8bd3b7a6a\"\"e5e713ae3413f21913298075cf4bd2a6-1\"<\/p>\n

Gambar 12-8<\/b><\/strong>\u00a0Transistor Bipolar dengan Gerbang Isolasi<\/b><\/strong>IGBT<\/b><\/strong>Simbol dan bentuknya<\/b><\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/section>\n

\n

II. Pengukuran Transistor Bipolar dengan Gerbang Isolasi (IGBT)<\/h2>\n
\n
\n
1. Identifikasi pin (G, C, E)<\/div>\n
\n

Langkah pertama: Tentukan gerbang (G)<\/strong><\/p>\n

Letakkan multimeter di R x 1k<\/strong> Pengujian: Jika nilai resistansi salah satu terminal terhadap dua terminal lainnya adalah tak terhingga, dan setelah menukar posisi probe tetap tak terhingga, maka terminal tersebut dinilai sebagaiGerbang (G)<\/strong>\u3002<\/p>\n

Langkah kedua: Menentukan kolektor (C) dan emitor (E)<\/strong><\/p>\n

Ukur kedua kutub lainnya; jika nilai resistansi yang terukur adalah tak terhingga, tukar posisi probe multimeter, lalu ukur kembali dan nilai resistansi yang terukur menjadi lebih kecil. Pada pengukuran yang menunjukkan nilai resistansi lebih kecil tersebut:<\/p>\n

    \n
  • \u25cf Ujung merah terhubung ke: kolektor (C)<\/li>\n
  • \u25cf Pada penghubung hitam pada multimeter, sambungkan ke: emitor (E)<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<\/div>\n
    \n
    2. Penilaian Baik-Buruk (Percobaan Pemicu Sensor Gerak Manusia)<\/div>\n
    \n

    Menggunakan multimeter R x 1k<\/strong> Langkah-langkah pengujian:<\/p>\n

    \n
    (1) Pemicu konduksi:<\/strong>
    \nHubungkan ujung hitam multimeter ke C, dan ujung merah multimeter ke E. Sentuh keduanya secara bersamaan dengan jari Anda.Gerbang (G)<\/strong> \u548cElektroda pengumpul (C)<\/strong>, pada saat ini IGBT dipicu untuk menghantarkan arus, dan jarum penunjuk bergerak ke arah nilai resistansi yang lebih kecil.<\/div>\n
    (2) Pemutusan arus:<\/strong>
    \nSentuh sebentar dengan jari secara bersamaanGerbang (G)<\/strong> \u548cElektroda emitor (E)<\/strong>, pada saat ini IGBT dalam keadaan terblokir, dan jarum penunjuk kembali ke nol.<\/div>\n<\/div>\n

    Jika proses di atas terpenuhi, maka dapat disimpulkan bahwa IGBT tersebut dalam kondisi baik.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

    \n

    3. Hal-hal yang Perlu Diperhatikan (Penting)<\/h4>\n
      \n
    • Multimeter jarum apa pun dapat digunakan untuk menguji IGBT.<\/li>\n
    • Poin penting:<\/strong>Saat menilai baik atau buruk, pastikan untuk mengaturnya ke R x 1k<\/strong> Tingkat. Karena tegangan baterai pada tingkat di bawah R\u00d71k terlalu rendah, sehingga tidak cukup untuk mengaktifkan konduksi gerbang IGBT.<\/li>\n
    • Metode ini juga dapat digunakan untuk mendeteksiTransistor Efek Medan Daya (P-MOSFET)<\/strong> kualitasnya.<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/section>\n