기본 실무 전기 기술자: 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 식별 및 측정
1. 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 기본 개념
절연 게이트 양극성 트랜지스터는 MOSFET 和바이폴라 트랜지스터두 가지 소자를 결합하여 만든 소자로, 입력 단자는 MOSFET이고 출력 단자는 PNP 트랜지스터이다. 이 소자는 두 소자의 장점을 모두 갖추고 있다:
그 주파수 특성은 MOSFET과 전력 트랜지스터의 중간 수준이며, 수십 kHz의 주파수 범위에서 정상적으로 작동할 수 있다. IGBT는 현대 전력 전자 기술 분야에서 점점 더 폭넓게 활용되고 있으며, 고주파 대역의 대·중전력 응용 분야에서 주도적인 위치를 차지하고 있다.


그림 12-8 절연 게이트 양극성 트랜지스터IGBT기호와 외형
2. 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 측정
3. 유의사항 (중요)
- 어떤 포인테이션형 멀티미터라도 IGBT를 검사하는 데 사용할 수 있습니다.
- 핵심:좋고 나쁨을 판단할 때는 반드시 다음 위치로 설정해야 합니다. R x 1k 단. R×1k 단 이하 각 단의 배터리 전압이 너무 낮아 IGBT 게이트를 전도 상태로 전환하기에 충분하지 않기 때문이다.
- 이 방법은 다음을 검출하는 데에도 적용됩니다.전력 전계 효과 트랜지스터 (P-MOSFET) 의 좋고 나쁨.

测量教程:引脚判别、触发导通与好坏检测.jpg)











