電気工学基礎実習：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の識別と測定

マリン・エレクトロニクスとエレクトリカルに関する基本スキル・トレーニング

I. 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の基本概念

絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、以下の材料でできている。 MOSFET 和バイポーラトランジスタMOSFET入力とPNPトランジスタ出力の複合デバイスです。両デバイスの利点を兼ね備えています：

どちらもそうだ：MOSFETデバイスは、駆動電力が低く、スイッチング速度が速いという利点があります。

もある：バイポーラ・デバイスは、飽和電圧が低く、容量が大きいという利点がある。

MOSFETとパワートランジスタの間の周波数特性は、数十キロヘルツの周波数範囲で正常に動作することができます。現代のパワーエレクトロニクス技術におけるIGBTは、大中電力アプリケーションの高い周波数で、支配的な地位を占める、より広く使用されている。

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図12-8. 絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTシンボルと形

1.ピン識別（G、C、E）

ステップ1：ゲート（G）の決定

マルチメーターを R x 1k ブロック、極と無限大の他の2つの極の抵抗値、およびスイッチのペンがまだ無限大である場合の測定は、このポールを判断するゲート（G）。

ステップ2：コレクタ（C）とエミッタ（E）の決定

残りの極を測定し、抵抗値が無限大で測定された場合、ペンを交換した後に抵抗値を小さく測定する。抵抗値が小さくなったその測定で

2.善悪の判断（人体感知トリガー実験）

マルチメーターの使用 R x 1k ギアがテストされる：

(1) トリガー伝導：
黒いペンはCに、赤いペンはEにつながっています。ゲート（G） 和コレクター（C）IGBTがトリガーされてオンになると、ポインターは抵抗値の低い方向に振れる。

(2) シャットダウン・ブロッキング：
同時に指で触れる。ゲート（G） 和エミッター (E)IGBTがブロックされると、ポインタはゼロに戻る。

以上の工程を満たしたIGBTを良品と判定する。

IGBTのテストには、どんなポインタ・マルチメータでも使用できる。
鍵だ：良し悪しを判断するときは、常にダイヤルを合わせる R x 1k ブロックである。これは、R×1kブロック以下の各ブロックのバッテリー電圧が小さすぎて、IGBTのゲート導通をオンにできないためである。
この方法は、次のような検出にも適している。パワー電界効果トランジスタ（P-MOSFET） 良いことも悪いこともある。