Fundamentos de ingeniería eléctrica: identificación práctica y medición de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
Formación básica en electrónica y electricidad naval
I. Conceptos básicos de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
Los transistores bipolares de puerta aislada están hechos de MOSFET 和transistor bipolarEs un dispositivo compuesto con una entrada MOSFET y una salida de transistor PNP. Combina las ventajas de ambos dispositivos:
Ambos tienen:Los dispositivos MOSFET ofrecen las ventajas de una baja potencia de accionamiento y rápidas velocidades de conmutación.
También tiene:Los dispositivos bipolares tienen la ventaja de una baja tensión de saturación y una alta capacidad.
Sus características de frecuencia entre el MOSFET y el transistor de potencia, puede trabajar normalmente en el rango de frecuencia de decenas de kilohercios. IGBT en la tecnología moderna de electrónica de potencia ha sido cada vez más ampliamente utilizado, en la frecuencia más alta de aplicaciones de potencia grandes y medianas ocupan una posición dominante.
Figura 12-8. Transistores bipolares de puerta aisladaIGBTSímbolos y formas de
Medición de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
3. Precauciones (importantes)
- Para comprobar los IGBT se puede utilizar cualquier multímetro de aguja.
- Llave:Para determinar si es bueno o malo, marque siempre R x 1k Bloque. Esto se debe a que el voltaje de la batería en cada bloque por debajo del bloque R×1k es demasiado pequeño para activar la conducción de la puerta del IGBT.
- Este método también es adecuado para detectarTransistores de efecto de campo de potencia (P-MOSFET) Lo bueno y lo malo.
