Основы электротехники: практическая идентификация и измерение биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Обучение базовым навыкам в области морской электроники и электрических систем
I. Основные понятия, касающиеся биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Биполярный транзистор с изолированным затвором состоит из MOSFET 和Биполярный транзисторУстройство, представляющее собой комбинацию двух элементов, входной каскад которого выполнен на основе MOSFET, а выходной — на основе PNP-транзистора. Оно сочетает в себе преимущества обоих типов устройств:
Обладает следующими свойствами:Преимущества MOSFET-устройств: низкая потребляемая мощность и высокая скорость переключения.
Кроме того, обладает следующими свойствами:Преимущества биполярных устройств, заключающиеся в низком напряжении насыщения и большой ёмкости.
Их частотные характеристики находятся между характеристиками MOSFET и силовых транзисторов, что позволяет им нормально работать в диапазоне частот в несколько десятков килогерц. IGBT находят всё более широкое применение в современной силовой электронике и занимают доминирующее положение в системах средней и большой мощности, работающих на высоких частотах.
Рис. 12-8 Биполярный транзистор с изолированным затворомIGBTСимволы и внешний вид
II. Измерение биполярных транзисторов с изолированной заслонкой (IGBT)
3. Важные замечания (важно)
- Для проверки IGBT можно использовать любой стрелочный мультиметр.
- Ключевые моменты:При оценке качества обязательно установите переключатель в положение R × 1k Передача. Поскольку напряжение аккумулятора на передачах ниже R×1k слишком мало, его недостаточно для включения IGBT.
- Данный метод также подходит для обнаруженияПолевой транзистор с мощностным режимом (P-MOSFET) качество.
