Fundamentos de ingeniería eléctrica: identificación práctica y medición de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
Formación básica en electrónica y electricidad naval
一、 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的基本概念
绝缘栅双极型晶体管是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为 MOSFET，输出极为 PNP 晶体管。它融合了这两种器件的优点：
既具有：MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的优点。
又具有：双极型器件饱和压降低而容量大的优点。
其频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作于几十千赫兹频率范围内。IGBT 在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
图12-8 绝缘栅双极型晶体管IGBT的符号和外形
二、 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的测量
3. 注意事项 (重要)
- 任何指针式万用表皆可用于检测 IGBT。
- 关键：判定好坏时一定要拨在 R×1k 挡。因为 R×1k 挡以下各挡电池电压太小，不足以开启 IGBT 栅极导通。
- 此方法同样适用于检测功率场效应晶体管 (P-MOSFET) 的好坏。
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