Thực hành cơ bản về điện: Nhận biết và đo lường bóng bán dẫn lưỡng cực có lưới cách điện (IGBT)
I. Khái niệm cơ bản về transistor lưỡng cực có lớp cách điện (IGBT)
Transistor bipolar với lưới cách điện là MOSFET 和Transistor bipolarMột thiết bị được tạo thành từ sự kết hợp của hai thành phần, trong đó đầu vào là MOSFET và đầu ra là transistor PNP. Nó kết hợp các ưu điểm của cả hai thiết bị:
Đặc tính tần số của nó nằm giữa MOSFET và transistor công suất, có thể hoạt động bình thường trong dải tần số hàng chục kHz. IGBT ngày càng được ứng dụng rộng rãi trong công nghệ điện tử công suất hiện đại và chiếm vị trí chủ đạo trong các ứng dụng công suất lớn và trung bình ở tần số cao.
Hình 12-8 Transistor bipolar với lưới cách điệnIGBTBiểu tượng và hình dạng
II. Đo lường transistor lưỡng cực có lớp cách điện (IGBT)
3. Lưu ý (quan trọng)
- Bất kỳ đồng hồ vạn năng kim nào cũng có thể được sử dụng để kiểm tra IGBT.
- Chìa khóa:Khi đánh giá tốt xấu, nhất định phải gọi điện thoại. R×1k Chặn. Bởi vì điện áp pin ở các mức dưới R×1k quá nhỏ, không đủ để kích hoạt cổng IGBT.
- Phương pháp này cũng áp dụng cho việc kiểm tra.Transistor hiệu ứng trường điện (P-MOSFET) Tốt hay xấu.

测量教程:引脚判别、触发导通与好坏检测.jpg)













