Praktikum Dasar Listrik: Identifikasi dan Pengukuran Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)
Pelatihan keterampilan dasar di bidang elektronik dan kelistrikan kelautan
一、 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的基本概念
绝缘栅双极型晶体管是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为 MOSFET，输出极为 PNP 晶体管。它融合了这两种器件的优点：
既具有：MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的优点。
又具有：双极型器件饱和压降低而容量大的优点。
其频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作于几十千赫兹频率范围内。IGBT 在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
图12-8 绝缘栅双极型晶体管IGBT的符号和外形
二、 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的测量
3. 注意事项 (重要)
- 任何指针式万用表皆可用于检测 IGBT。
- 关键：判定好坏时一定要拨在 R×1k 挡。因为 R×1k 挡以下各挡电池电压太小，不足以开启 IGBT 栅极导通。
- 此方法同样适用于检测功率场效应晶体管 (P-MOSFET) 的好坏。
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